第105章 超强净水薄膜

首先，在沉积温度下，反应物具有足够的蒸气压，并能以适当的速度被引入反应室；

其次，反应产物除了形成固态薄膜物质外，都必须是挥发性的；

最后，沉积薄膜和基体材料必须具有足够低的蒸气压。

三者缺一不可。

李默很开始将黑色粉末转移到气相沉积设备里，开启设备。

由于有发放的具体实验操作步骤，两个多小小时候就合成了相应的产物。

李默戴着口罩和手套，小心翼翼地将制成的这种未知的黑色粉末密封起来，拿到电子显微镜下面开始观察。

找了不到三分钟后才发现了许黎所描述的十二边氧化硅分子。

看到这里后，李默申请也是有些兴奋。

没想到这种化合分子真的存在，随即他便开始吩咐几个研究人员。

而这一段时间内就只能先等了。

一个钟头之后，气相沉积搞定。

“准备气相沉积！”

气相沉积简称CVD，是指把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。

很多大规模的集成电路中的很多薄膜，往往都是通过气相沉积制备的。

主要也分为热化学气相沉积、低压化学气相沉积和等离子体化学气相沉积，这三种对应的实验设备和手段也不同。

但是气相沉积想要成功制备出薄膜，就需要满足三个必要的制备条件。